Substrato SiC
Descrição
O carboneto de silício (SiC) é um composto binário do Grupo IV-IV, é o único composto sólido estável do Grupo IV da Tabela Periódica. É um importante semicondutor.O SiC possui excelentes propriedades térmicas, mecânicas, químicas e elétricas, o que o torna um dos melhores materiais para a fabricação de dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência. O SiC também pode ser usado como material de substrato para diodos emissores de luz azul baseados em GaN.Atualmente, o 4H-SiC é o produto principal do mercado, e o tipo de condutividade é dividido em tipo semi-isolante e tipo N.
Propriedades
| Item | 2 polegadas 4H tipo N | ||
| Diâmetro | 2 polegadas (50,8 mm) | ||
| Grossura | 350+/-25um | ||
| Orientação | fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientação Plana Primária | <1-100> ± 5° | ||
| Plano Secundário Orientação | 90,0˚ CW do plano primário ± 5,0˚, Si voltado para cima | ||
| Comprimento plano primário | 16±2,0 | ||
| Comprimento plano secundário | 8±2,0 | ||
| Nota | Grau de produção (P) | Nota de pesquisa (R) | Nota fictícia (D) |
| Resistividade | 0,015~0,028Ω·cm | < 0,1Ω·cm | < 0,1Ω·cm |
| Densidade do Microtubo | ≤ 1 microtubos/ cm² | ≤ 1 0microtubos/ cm² | ≤ 30 microtubos/ cm² |
| Rigidez da superfície | Face Si CMP Ra <0,5 nm, Face C Ra <1 nm | N/A, área útil > 75% | |
| TTV | < 8 hum | <10um | < 15 hum |
| Arco | <±8um | <±10um | <±15um |
| Urdidura | < 15 hum | < 20 hum | < 25 hum |
| Rachaduras | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 3 mm | Comprimento cumulativo ≤10mm, |
| Arranhões | ≤ 3 arranhões, cumulativos | ≤ 5 arranhões, cumulativos | ≤ 10 arranhões, cumulativos |
| Placas hexagonais | máximo de 6 placas, | máximo de 12 placas, | N/A, área útil > 75% |
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada ≤ 5% | Área acumulada ≤ 10% |
| Contaminação | Nenhum | ||
