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Substrato LiAlO2

Pequena descrição:

1. Baixa constante dielétrica

2. Baixa perda de microondas

3. Filme fino supercondutor de alta temperatura


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Descrição

LiAlO2 é um excelente substrato de cristal de filme.

Propriedades

Estrutura de cristal

M4

Constante de célula unitária

a = 5,17 A c = 6,26 A

Ponto de fusão(℃)

1900

Densidade (g/cm3

2,62

Dureza (Mho)

7,5

Polimento

Simples ou duplo ou sem

Orientação Cristalina

<100> <001>

A definição do substrato LiAlO2

O substrato LiAlO2 refere-se a um substrato feito de óxido de alumínio e lítio (LiAlO2).LiAlO2 é um composto cristalino pertencente ao grupo espacial R3m e possui uma estrutura cristalina triangular.

Substratos de LiAlO2 têm sido usados ​​em diversas aplicações, incluindo crescimento de filmes finos, camadas epitaxiais e heteroestruturas para dispositivos eletrônicos, optoeletrônicos e fotônicos.Devido às suas excelentes propriedades físicas e químicas, é especialmente adequado para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de banda larga.

Uma das principais aplicações dos substratos de LiAlO2 é no campo de dispositivos baseados em nitreto de gálio (GaN), como transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) e diodos emissores de luz (LEDs).A incompatibilidade de rede entre LiAlO2 e GaN é relativamente pequena, tornando-o um substrato adequado para o crescimento epitaxial de filmes finos de GaN.O substrato LiAlO2 fornece um modelo de alta qualidade para deposição de GaN, resultando em melhor desempenho e confiabilidade do dispositivo.

Os substratos de LiAlO2 também são usados ​​em outros campos, como o crescimento de materiais ferroelétricos para dispositivos de memória, o desenvolvimento de dispositivos piezoelétricos e a fabricação de baterias de estado sólido.Suas propriedades únicas, como alta condutividade térmica, boa estabilidade mecânica e baixa constante dielétrica, conferem-lhes vantagens nessas aplicações.

Em resumo, substrato LiAlO2 refere-se a um substrato feito de óxido de alumínio e lítio.Os substratos de LiAlO2 são utilizados em diversas aplicações, especialmente para o crescimento de dispositivos baseados em GaN e no desenvolvimento de outros dispositivos eletrônicos, optoeletrônicos e fotônicos.Eles possuem propriedades físicas e químicas desejáveis ​​que os tornam adequados para a deposição de filmes finos e heteroestruturas e melhoram o desempenho do dispositivo.


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