Substrato LiAlO2
Descrição
LiAlO2 é um excelente substrato de cristal de filme.
Propriedades
Estrutura de cristal | M4 |
Constante de célula unitária | a = 5,17 A c = 6,26 A |
Ponto de fusão(℃) | 1900 |
Densidade (g/cm3) | 2,62 |
Dureza (Mho) | 7,5 |
Polimento | Simples ou duplo ou sem |
Orientação Cristalina | <100> <001> |
A definição do substrato LiAlO2
O substrato LiAlO2 refere-se a um substrato feito de óxido de alumínio e lítio (LiAlO2).LiAlO2 é um composto cristalino pertencente ao grupo espacial R3m e possui uma estrutura cristalina triangular.
Substratos de LiAlO2 têm sido usados em diversas aplicações, incluindo crescimento de filmes finos, camadas epitaxiais e heteroestruturas para dispositivos eletrônicos, optoeletrônicos e fotônicos.Devido às suas excelentes propriedades físicas e químicas, é especialmente adequado para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de banda larga.
Uma das principais aplicações dos substratos de LiAlO2 é no campo de dispositivos baseados em nitreto de gálio (GaN), como transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) e diodos emissores de luz (LEDs).A incompatibilidade de rede entre LiAlO2 e GaN é relativamente pequena, tornando-o um substrato adequado para o crescimento epitaxial de filmes finos de GaN.O substrato LiAlO2 fornece um modelo de alta qualidade para deposição de GaN, resultando em melhor desempenho e confiabilidade do dispositivo.
Os substratos de LiAlO2 também são usados em outros campos, como o crescimento de materiais ferroelétricos para dispositivos de memória, o desenvolvimento de dispositivos piezoelétricos e a fabricação de baterias de estado sólido.Suas propriedades únicas, como alta condutividade térmica, boa estabilidade mecânica e baixa constante dielétrica, conferem-lhes vantagens nessas aplicações.
Em resumo, substrato LiAlO2 refere-se a um substrato feito de óxido de alumínio e lítio.Os substratos de LiAlO2 são utilizados em diversas aplicações, especialmente para o crescimento de dispositivos baseados em GaN e no desenvolvimento de outros dispositivos eletrônicos, optoeletrônicos e fotônicos.Eles possuem propriedades físicas e químicas desejáveis que os tornam adequados para a deposição de filmes finos e heteroestruturas e melhoram o desempenho do dispositivo.