Substrato GaAs
Descrição
O arsenieto de gálio (GaAs) é um importante e maduro semicondutor composto do grupo III-Ⅴ, é amplamente utilizado no campo da optoeletrônica e microeletrônica.O GaAs é dividido principalmente em duas categorias: GaAs semi-isolantes e GaAs tipo N.O GaAs semi-isolante é usado principalmente para fazer circuitos integrados com estruturas MESFET, HEMT e HBT, que são usados em comunicações de radar, microondas e ondas milimétricas, computadores de ultra-alta velocidade e comunicações de fibra óptica.O GaAs tipo N é usado principalmente em LD, LED, lasers infravermelhos próximos, lasers de poço quântico de alta potência e células solares de alta eficiência.
Propriedades
| Cristal | Dopado | Tipo de condução | Concentração de Fluxos cm-3 | Densidade cm-2 | Método de crescimento |
| GaAs | Nenhum | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Definição de substrato GaAs
O substrato GaAs refere-se a um substrato feito de material cristalino de arsenieto de gálio (GaAs).GaAs é um semicondutor composto composto por elementos de gálio (Ga) e arsênico (As).
Substratos de GaAs são frequentemente utilizados nas áreas de eletrônica e optoeletrônica devido às suas excelentes propriedades.Algumas propriedades principais dos substratos de GaAs incluem:
1. Alta mobilidade eletrônica: GaAs tem maior mobilidade eletrônica do que outros materiais semicondutores comuns, como o silício (Si).Esta característica torna o substrato GaAs adequado para equipamentos eletrônicos de alta frequência e alta potência.
2. Gap de banda direto: GaAs tem um gap de banda direto, o que significa que a emissão eficiente de luz pode ocorrer quando elétrons e buracos se recombinam.Essa característica torna os substratos de GaAs ideais para aplicações optoeletrônicas, como diodos emissores de luz (LEDs) e lasers.
3. Wide Bandgap: GaAs tem um bandgap mais amplo que o silício, permitindo que ele opere em temperaturas mais altas.Esta propriedade permite que dispositivos baseados em GaAs operem com mais eficiência em ambientes de alta temperatura.
4. Baixo ruído: Os substratos de GaAs apresentam baixos níveis de ruído, tornando-os adequados para amplificadores de baixo ruído e outras aplicações eletrônicas sensíveis.
Substratos de GaAs são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, incluindo transistores de alta velocidade, circuitos integrados (ICs) de micro-ondas, células fotovoltaicas, detectores de fótons e células solares.
Esses substratos podem ser preparados usando diversas técnicas, como Deposição de Vapor Químico Orgânico Metálico (MOCVD), Epitaxia de Feixe Molecular (MBE) ou Epitaxia de Fase Líquida (LPE).O método de crescimento específico utilizado depende da aplicação desejada e dos requisitos de qualidade do substrato GaAs.
