Substrato PMN-PT
Descrição
O cristal PMN-PT é conhecido por seu coeficiente de acoplamento eletromecânico extremamente alto, alto coeficiente piezoelétrico, alta deformação e baixa perda dielétrica.
Propriedades
| Composição química | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Estrutura | R3m, Romboédrico |
| Malha | a0 ~ 4,024Å |
| Ponto de fusão（℃） | 1280 |
| Densidade (g/cm3) | 8.1 |
| Coeficiente Piezoelétrico d33 | >2000 pC/N |
| Perda dielétrica | tan<0,9 |
| Composição | perto do limite da fase morfotrópica |
Definição de substrato PMN-PT
Substrato PMN-PT refere-se a um filme fino ou wafer feito de material piezoelétrico PMN-PT.Serve como base de apoio ou alicerce para diversos dispositivos eletrônicos ou optoeletrônicos.
No contexto do PMN-PT, um substrato é tipicamente uma superfície plana e rígida na qual camadas ou estruturas finas podem ser cultivadas ou depositadas.Os substratos PMN-PT são comumente usados para fabricar dispositivos como sensores piezoelétricos, atuadores, transdutores e coletores de energia.
Esses substratos fornecem uma plataforma estável para o crescimento ou deposição de camadas ou estruturas adicionais, permitindo que as propriedades piezoelétricas do PMN-PT sejam integradas aos dispositivos.A forma de filme fino ou wafer de substratos PMN-PT pode criar dispositivos compactos e eficientes que se beneficiam das excelentes propriedades piezoelétricas do material.
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A correspondência de alta rede refere-se ao alinhamento ou combinação de estruturas de rede entre dois materiais diferentes.No contexto dos semicondutores MCT (telureto de mercúrio e cádmio), a alta correspondência de rede é desejável porque permite o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade e livres de defeitos.
MCT é um material semicondutor composto comumente usado em detectores infravermelhos e dispositivos de imagem.Para maximizar o desempenho do dispositivo, é fundamental cultivar camadas epitaxiais de MCT que correspondam estreitamente à estrutura reticular do material do substrato subjacente (normalmente CdZnTe ou GaAs).
Ao alcançar uma alta correspondência de rede, o alinhamento do cristal entre as camadas é melhorado e os defeitos e deformações na interface são reduzidos.Isso leva a uma melhor qualidade cristalina, melhores propriedades elétricas e ópticas e melhor desempenho do dispositivo.
A alta correspondência de rede é importante para aplicações como imagens e detecção infravermelha, onde mesmo pequenos defeitos ou imperfeições podem degradar o desempenho do dispositivo, afetando fatores como sensibilidade, resolução espacial e relação sinal-ruído.
